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RIE-PE刻蝕機其原理是暴露在電子區(qū)域的氣體形成等離子體，由此產(chǎn)生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體，從而形成了等離子或離子，電離氣體原子通過電場加速時，會釋放足夠的力量與表面驅逐力緊緊粘合材料或蝕刻表面。RIE-PE刻蝕機是在濕法腐蝕技術基礎上發(fā)展起來的，屬于純化學性腐蝕。這種方法腐蝕均勻性好、損傷小，缺點是各向刻蝕同性，對于1μm以下的細線條線寬損失明顯。所以，在等離子刻蝕的基礎上改進反應結構和接電方式，出現(xiàn)了反應離子刻蝕。該方法加快了縱向的腐蝕速度，具有各向異性的腐蝕...

無論是無機材料還是有機材料制成的眼鏡片，在日常的使用中，由于與灰塵或砂礫（氧化硅）的摩擦都會造成鏡片磨損，在鏡片表面產(chǎn)生劃痕。與玻璃片相比，有機材料制成的硬性度比較低，更易產(chǎn)生劃痕。通過顯微鏡，我們可以觀察到鏡片表面的劃痕主要分為二種，一是由于砂礫產(chǎn)生的劃痕，淺而細小，戴鏡者不容易察覺；另一種是由較大砂礫產(chǎn)生的劃痕，深且周邊粗糙，處于中心區(qū)域則會影響視力。1、*代光學鍍膜系統(tǒng)技術抗磨損膜始于20世紀70年代初，當時認為玻璃鏡片不易磨制是因為其硬度高，而有機鏡片則太軟所以容易磨...

任何一種光學儀器的用途和使用條件必然會對它的光學系統(tǒng)提出一定的要求，因此，在我們進行光學設計之前一定要了解對光學鍍膜系統(tǒng)的要求。這些要求概括起來有以下幾個方面。一、光學系統(tǒng)的基本特性：數(shù)值孔徑或相對孔徑；線視場或視場角；系統(tǒng)的放大率或焦距。此外還有與這些基本特性有關的一些特性參數(shù)，如光瞳的大小和位置、后工作距離、共軛距等。二、系統(tǒng)的外形尺寸：光學鍍膜系統(tǒng)的外形尺寸，即系統(tǒng)的橫向尺寸和縱向尺寸。在設計多光組的復雜光學系統(tǒng)時，外形尺寸計算以及各光組之間光瞳的銜接都是很重要的。三、...

光學鍍膜系統(tǒng)是改變光學零件表面特征而鍍在光學零件表面上的一層或多層膜。可以是金屬膜、介質膜或這兩類膜的組合。光學薄膜是各種先進光電技術中*的一部分，它不僅能改善系統(tǒng)性能，而且是滿足設計目標的必要手段，光學薄膜的應用領域設及光學系統(tǒng)的各個方面，包括激光系統(tǒng)，光通信，光顯示，光儲存等，主要的光學薄膜器件包括反射膜、減反射膜、偏振膜、干涉濾光片和分光鏡等等。下面就由小編具體為大家介紹分析光學鍍膜系統(tǒng)的基礎知識，以作為參考希望能夠幫助到大家。光學鍍膜系統(tǒng)的定義是：涉及光在傳播路徑過程...

進口雙模式刻蝕機全自動上下載片，帶低溫晶圓片冷卻和偏壓樣品臺的深硅刻蝕系統(tǒng)，帶8"ICP源。系統(tǒng)可以配套500L/S抽速的渦輪分子泵，可以使得工藝壓力達到幾mTorr的水平。在低溫刻蝕的技術下，系統(tǒng)可以達到硅片的高深寬比刻蝕。進口雙模式刻蝕機主要特點：基于PC控制的緊湊型立柜式百級DRIE深硅刻蝕系統(tǒng)，擁有高縱橫比的刻蝕能力；配套LabView軟件，菜單驅動，自動記錄數(shù)據(jù)；觸摸屏監(jiān)控；全自動系統(tǒng)，帶安全聯(lián)鎖；四級權限，帶密碼保護；自動上下載片；帶LoadLock預真空鎖；He...

全自動磁控濺射系統(tǒng)是物理氣相沉積（PhysicalVaporDeposition，PVD）的一種。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導體、絕緣體等多材料，且具有設備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等優(yōu)點，而上世紀70年代發(fā)展起來的全自動磁控濺射系統(tǒng)法更是實現(xiàn)了高速、低溫、低損傷。因為是在低氣壓下進行高速濺射，必須有效地提高氣體的離化率。全自動磁控濺射系統(tǒng)通過在靶陰極表面引入磁場，利用磁場對帶電粒子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率。全自動磁控濺射系統(tǒng)技術分類直流濺射法要求...

鍍膜是用物理或化學的方法在材料表面鍍上一層透明的電解質膜，或鍍一層金屬膜，目的是改變材料表面的反射和透射特性。在可見光和紅外線波段范圍內，大多數(shù)金屬的反射率都可達到78%~98%，但不可高于98%。無論是對于CO2激光，采用銅、鉬、硅、鍺等來制作反射鏡，采用鍺、砷化鎵、硒化鋅作為輸出窗口和透射光學元件材料，還是對于YAG激光采用普通光學玻璃作為反射鏡、輸出鏡和透射光學元件材料，都不能達到全反射鏡的99%以上要求。不同應用時輸出鏡有不同透過率的要求，因此必須采用光學鍍膜方法。對...

干法刻蝕技術*，在芯片制造的過程中，硅片表面圖形的形成主要依靠光刻和刻蝕兩大模塊。光刻的目的是在硅片表面形成所需的光刻膠圖形，刻蝕則緊接其后地將光刻膠的圖形轉移到襯底或襯底上的薄膜層上。隨著特征尺寸要求越來越小，對光刻和刻蝕的要求也越來越高。通常一個刻蝕工藝包含以下特性：良好的刻蝕速率均勻性(Uniformity)，不僅僅是片內的均勻性(WithinWafer)，還包括片與片之間(WafertoWafer)，批次與批次之間(LottoLot)。高選擇比(HighSelecti...